Opis
Opiekun naukowy: dr inż. Michał Szucki, Wydział Odlewnictwa AGH
MRAM (Magneto-resistive random-access memory), czyli typ nieulotnej pamięci operacyjnej o swobodnym dostępie, wykorzystującej zjawisko gigantycznego magnetooporu lub tunelowy efekt magnetorezystancyjny. Najważniejsze cechy tej pamięci to swobodny dostęp i nieulotność. Pamięć tego typu związana jest ze zjawiskiem magnetyzacji. W filmie przedstawiono jej działanie i budowę.
Film w 2019 r. brał udział w konkursie „Notatki w Internecie”. Więcej informacji nt. konkursu dostępnych jest na stronie http://notatki.cel.agh.edu.pl.
